為什麼需要 EUV
當製程推進到 7 奈米以下，193 nm DUV 即使用上浸潤式與多重曝光，成本與複雜度也急遽攀升。極紫外光（EUV，波長 13.5 nm）把光源波長一口氣縮短超過十倍，能用更少的曝光次數畫出更細的線，是先進製程量產的關鍵。
它有多難
EUV 幾乎挑戰了光學工程的極限：
- 光源：用高能雷射轟擊高速噴出的錫液滴，使其變成電漿並放出 13.5 nm 的光，每秒數萬次。能量轉換效率極低，是巨大的工程難題。
- 全反射光學：13.5 nm 的光會被幾乎所有材料吸收，無法用透鏡折射，只能用數十層塗層的多層膜反射鏡反射，且整個光路必須在真空中進行。
- 光罩：EUV 光罩也是反射式，且必須搭配防止落塵的薄膜（pellicle），製作極為困難。
為何全球只有一家能做
由於上述每一個子系統都是頂尖難題，全球目前僅有荷蘭的 ASML 能量產 EUV 微影機台。一台機器整合了來自德國蔡司（Zeiss）的光學、雷射光源等數千家供應商的零件，售價以新台幣數十億元計，是現代工業最複雜的機器之一。
High-NA EUV：下一步
為了再往更微縮推進，ASML 推出High-NA EUV（數值孔徑由 0.33 提升到 0.55），能畫出更細的線，但機台更大、更貴，並帶來新的設計與光罩挑戰。
EUV 的高門檻，使它成為地緣政治的焦點——能否取得 EUV 機台，直接決定一個國家／企業能否進入最先進製程。延伸閱讀請見〈出口管制與供應鏈重組〉。