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元件與封裝
元件與封裝

電晶體與 MOSFET:晶片的開關

從平面到 FinFET 再到 GAA,開關如何越做越小。

約 6 分鐘  ·  電晶體MOSFETFinFETGAA

MOSFET:現代晶片的基本單元

現代數位晶片的基本開關是 MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)。它有三個關鍵端點:

  • 閘極(Gate):像水龍頭的把手,控制電流是否流通。
  • 源極(Source)與汲極(Drain):電流的入口與出口。

在閘極施加電壓,就能在源極與汲極之間形成或切斷導電通道——這就是「開」與「關」,對應數位世界的 1 與 0。

為什麼結構要越來越立體

當電晶體越做越小,閘極對通道的控制力會變弱,產生漏電——關不乾淨、耗電上升。為了維持良好控制,電晶體結構不斷演進:

世代 結構 特點
傳統 平面(Planar) 閘極只從上方控制通道
約 22nm 起 FinFET 通道立成鰭狀,閘極從三面包覆,控制力大增
約 3nm/2nm 起 GAA(環繞閘極)/奈米片 閘極從四面完全包覆通道,漏電更低

不只追求更小

除了結構創新,業界也透過新材料(如高介電常數材料、新通道材料)與先進封裝來持續提升效能。換句話說,當「把電晶體做更小」越來越難,產業正用更多元的方式繼續進步。延伸閱讀請見〈製程節點〉與〈先進封裝〉。